Tại hội nghị ISCAS 2026 do IEEE tổ chức ở Thượng Hải, Huawei đã công bố những bước tiến mới trong lĩnh vực chế tạo vi mạch, với tham vọng đạt năng lực tương đương quy trình 1,4 nm của TSMC vào năm 2031. Đây là tuyên bố đầy tham vọng trong bối cảnh công ty đang chịu nhiều hạn chế từ các lệnh trừng phạt của Mỹ.
Thiết kế gập logic và chip Kirin thế hệ mới
Bà He Tingbo, Chủ tịch bộ phận kinh doanh bán dẫn của Huawei, đã tiết lộ công nghệ mới mang tên "thiết kế gập logic". Công nghệ này nhằm tăng mật độ bóng bán dẫn và cải thiện hiệu quả năng lượng, cho phép tích hợp nhiều phần tử xử lý hơn trên cùng một diện tích vi mạch, giúp thiết bị mạnh mẽ hơn, ít tỏa nhiệt và tiết kiệm pin hơn. Huawei xác nhận rằng các bộ xử lý di động Kirin thế hệ tiếp theo sẽ là những sản phẩm thương mại đầu tiên áp dụng thiết kế này.
Mục tiêu 1,4 nm và thách thức quang khắc
Huawei đặt mục tiêu phát triển năng lực quang khắc tương đương quy trình 1,4 nm vào năm 2031. Tuy nhiên, do bị cấm tiếp cận thiết bị từ ASML vì các quy định của Mỹ, Huawei có thể phải dựa vào hệ thống quang khắc tử ngoại cực tím (EUV) do doanh nghiệp Trung Quốc SiCarrier phát triển. SiCarrier được xem là một trong những ứng cử viên thay thế ASML tại Trung Quốc. Theo trang Wccftech, Huawei có thể đã đầu tư mạnh vào SiCarrier, và trong nửa đầu năm 2025, SiCarrier được cho là đã tìm kiếm 2,8 tỷ USD vốn huy động. Hiện chưa có xác nhận chính thức về việc Huawei tham gia vòng gọi vốn này, nhưng khả năng này được đánh giá cao.
Triển vọng và thách thức
Dù Huawei thể hiện sự tự tin, việc hiện thực hóa mục tiêu 1,4 nm vẫn là một thách thức lớn trong ngành bán dẫn, nơi các mục tiêu công nghệ thường đòi hỏi thời gian và nguồn lực khổng lồ. Thành công sẽ phụ thuộc vào khả năng phát triển hệ thống quang khắc nội địa cũng như tiến độ nghiên cứu thiết kế gập logic.
